DMT62M7SPSW-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMT62M7SPSW-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount, Wettable Flank
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
60 V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
الحزمة / القضية：
8-PowerTDFN
Power Dissipation (Max)：
2.5W (Ta), 125W (Tc)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
2.7mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
68.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
4973 pF @ 30 V
حزمة جهاز المورد：
PowerDI5060-8 (Type UX)
