DMT64M2LPSW-13
MOSFET N-CH 60V 20.7A/100A PWRDI
DMT64M2LPSW-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
60 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
الحزمة / القضية：
8-PowerTDFN
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
4.4mOhm @ 50A, 10V
حزمة جهاز المورد：
PowerDI5060-8 (Type Q)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
46.7 nC @ 10 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
20.7A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2799 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
2.8W (Ta), 83.3W (Tc)
