DMT67M8LCGQ-13
MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
DMT67M8LCGQ-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
درجة：
Automotive
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
60 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
الحزمة / القضية：
8-PowerVDFN
Qualification：
AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
5.7mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
37.5 nC @ 10 V
حزمة جهاز المورد：
V-DFN3333-8 (Type B)
Power Dissipation (Max)：
900mW (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2130 pF @ 30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
16A (Ta), 64.6A (Tc)
