DMT67M8LSS-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
DMT67M8LSS-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
الحزمة / القضية：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد：
8-SO
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
60 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
1.4W (Ta)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
12A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2130 pF @ 30 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
6.6mOhm @ 16.5A, 10V
