DMT69M5LCG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
DMT69M5LCG-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
60 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
الحزمة / القضية：
8-PowerVDFN
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
14.6A (Ta), 52.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
8.3mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
28.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1406 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
1.37W (Ta)
حزمة جهاز المورد：
V-DFN3333-8 (Type B)
