DMT8007LPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMT8007LPSW-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount, Wettable Flank
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
100A (Tc)
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / القضية：
8-PowerTDFN
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
80 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 1mA
حزمة جهاز المورد：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
6.5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
45.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2682 pF @ 40 V
Power Dissipation (Max)：
1.5W (Ta), 104W (Tc)
