DMT8008LPS-13
MOSFET N-CH 80V 83A PWRDI5060-8
DMT8008LPS-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / القضية：
8-PowerTDFN
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
80 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 1mA
حزمة جهاز المورد：
PowerDI5060-8
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
7.8mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
41.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2345 pF @ 40 V
Power Dissipation (Max)：
1.3W (Ta), 83W (Tc)
