DMT8008SCT
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
DMT8008SCT Specifications
نوع التركيب：
Through Hole
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / القضية：
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
34 nC @ 10 V
حزمة جهاز المورد：
TO-220-3
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
80 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
7.5mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1950 pF @ 40 V
Power Dissipation (Max)：
2.4W (Ta), 167W (Tc)
