DMT8008SK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
DMT8008SK3-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
6V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / القضية：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
34 nC @ 10 V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
80 V
حزمة جهاز المورد：
TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
90A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
1.7W (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1950 pF @ 40 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
7.8mOhm @ 14A, 10V
