DMTH10H009LFGQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
DMTH10H009LFGQ-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
درجة：
Automotive
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
100 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
الحزمة / القضية：
8-PowerVDFN
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
حزمة جهاز المورد：
POWERDI3333-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
41 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)：
2.5W (Ta), 39W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2361 pF @ 50 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
12A (Ta), 46A (Tc)
