DMTH10H072LPS-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMTH10H072LPS-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount, Wettable Flank
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
100 V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
الحزمة / القضية：
8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
20A (Tc)
حزمة جهاز المورد：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
5.1 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
57mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
266 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)：
1.5W (Ta), 51.7W (Tc)
