DMTH10H4M5LPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
DMTH10H4M5LPS-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
100 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
80 nC @ 10 V
الحزمة / القضية：
8-PowerTDFN
حزمة جهاز المورد：
PowerDI5060-8
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
20A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
4843 pF @ 50 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
4.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max)：
2.7W (Ta), 136W (Tc)
