DMTH12H007SPSW-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5
DMTH12H007SPSW-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount, Wettable Flank
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
6V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
الحزمة / القضية：
8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
44 nC @ 10 V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
120 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
84A (Tc)
حزمة جهاز المورد：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
8.9mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
3142 pF @ 60 V
Power Dissipation (Max)：
3.5W
