DMTH15H017LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
DMTH15H017LPSWQ-13 Specifications
درجة：
Automotive
نوع التركيب：
Surface Mount, Wettable Flank
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
الحزمة / القضية：
8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
50 nC @ 10 V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
150 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.6V @ 250µA
حزمة جهاز المورد：
PowerDI5060-8 (Type UX)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
17.5mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
3369 pF @ 75 V
Power Dissipation (Max)：
1.5W (Ta), 107W (Tc)
