DMTH15H017SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5
DMTH15H017SPSWQ-13 Specifications
درجة：
Automotive
نوع التركيب：
Surface Mount, Wettable Flank
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Power Dissipation (Max)：
1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
34 nC @ 10 V
الحزمة / القضية：
8-PowerTDFN
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
150 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
8V, 10V
حزمة جهاز المورد：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
19mOhm @ 20A, 10V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
11A (Ta), 61A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2344 pF @ 75 V
