DMTH31M7LPSQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
DMTH31M7LPSQ-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
درجة：
Automotive
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
30 V
الحزمة / القضية：
8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
في جي إس (الحد الأقصى)：
±16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
90 nC @ 10 V
حزمة جهاز المورد：
PowerDI5060-8
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
1.7mOhm @ 20A, 10V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
30A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
5741 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)：
1.3W (Ta), 113W (Tc)
