DMTH4004LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
DMTH4004LPSWQ-13 Specifications
درجة:
Automotive
نوع التركيب:
Surface Mount, Wettable Flank
نوع فيت:
N-Channel
تكنولوجيا:
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss):
40 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق):
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى):
±20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية:
100A (Tc)
درجة حرارة التشغيل:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification:
AEC-Q101
الحزمة / القضية:
8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
حزمة جهاز المورد:
PowerDI5060-8 (Type UX)
Rds On (Max) @ Id، Vgs:
2.5mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
69.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
5220 pF @ 20 V
Power Dissipation (Max):
2.83W (Ta), 125W (Tc)