DMTH4014LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
DMTH4014LPSWQ-13 Specifications
درجة：
Automotive
نوع التركيب：
Surface Mount, Wettable Flank
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
40 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
الحزمة / القضية：
8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
حزمة جهاز المورد：
PowerDI5060-8 (Type UX)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
43.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
750 pF @ 20 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
14.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)：
4W (Ta), 46.9W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
11.2 nC @ 10 V
