DMTH42M4SPS-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
DMTH42M4SPS-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
40 V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
الحزمة / القضية：
8-PowerTDFN
حزمة جهاز المورد：
PowerDI5060-8 (Type K)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
200A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
79.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
2.4mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
6968 pF @ 20 V
Power Dissipation (Max)：
3.06W (Ta), 150W (Tc)
