DMTH45M5LFVW-7
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
DMTH45M5LFVW-7 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount, Wettable Flank
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
40 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
الحزمة / القضية：
8-PowerVDFN
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
5.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.3V @ 250µA
حزمة جهاز المورد：
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
13.9 nC @ 10 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
18A (Ta), 71A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
978 pF @ 20 V
Power Dissipation (Max)：
3.5W (Ta), 51W (Tc)
