DMTH47M2LFVW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI333
DMTH47M2LFVW-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount, Wettable Flank
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
40 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
الحزمة / القضية：
8-PowerVDFN
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.3V @ 250µA
حزمة جهاز المورد：
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
13.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
8.9mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
881 pF @ 20 V
Power Dissipation (Max)：
2.9W (Ta), 37.5W (Tc)
