DMTH6004LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMTH6004LPSWQ-13 Specifications
درجة：
Automotive
نوع التركيب：
Surface Mount, Wettable Flank
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
60 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
الحزمة / القضية：
8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
3.1mOhm @ 25A, 10V
حزمة جهاز المورد：
PowerDI5060-8 (Type UX)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
22A (Ta), 100A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
2.6W (Ta), 138W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
78.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
5399 pF @ 30 V
