DMTH63M6LPSW-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMTH63M6LPSW-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount, Wettable Flank
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
60 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
الحزمة / القضية：
8-PowerTDFN
حزمة جهاز المورد：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
4.1mOhm @ 20A, 10V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
105A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
44.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2479 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
3.3W (Ta), 84.7W (Tc)
