DMTH8001STLW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
DMTH8001STLW-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
80 V
الحزمة / القضية：
8-PowerSFN
حزمة جهاز المورد：
POWERDI1012-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
138 nC @ 10 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
1.7mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
8894 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)：
6W (Ta), 250W (Tc)
