DMTH8003STLW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
DMTH8003STLW-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
124 nC @ 10 V
الحزمة / القضية：
8-PowerSFN
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
2.5mOhm @ 30A, 10V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
173A (Tc)
حزمة جهاز المورد：
POWERDI1012-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
8191 pF @ 40 V
Power Dissipation (Max)：
5.6W (Ta), 150W (Tc)
