DMTH8008SFG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
DMTH8008SFG-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
6V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
الحزمة / القضية：
8-PowerVDFN
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
80 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
Power Dissipation (Max)：
1.2W (Ta), 50W (Tc)
حزمة جهاز المورد：
POWERDI3333-8
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
7mOhm @ 14A, 10V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
17A (Ta), 68A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
31.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1945 pF @ 40 V
