DMTH84M1SPS-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMTH84M1SPS-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
6V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
100A (Tc)
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
63 nC @ 10 V
الحزمة / القضية：
8-PowerTDFN
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
80 V
حزمة جهاز المورد：
PowerDI5060-8
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
4mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
4209 pF @ 40 V
Power Dissipation (Max)：
1.6W (Ta), 136W (Tc)
