DSC02120D1-13
SILICON CARBIDE RECTIFIER TO252
DSC02120D1-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
Current - Average Rectified (Io)：
2A
تكنولوجيا：
SiC (Silicon Carbide) Schottky
سرعة：
No Recovery Time > 500mA (Io)
عكس وقت الاسترداد (trr)：
0 ns
درجة حرارة التشغيل - الوصلة：
-55°C ~ 175°C
الحزمة / القضية：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى)：
1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.7 V @ 2 A
حزمة جهاز المورد：
TO-252 (Type WX)
Current - Reverse Leakage @ Vr：
128 µA @ 1200 V
السعة @ Vr، F：
131pF @ 100mV, 1MHz
