DSC08A065D1-13
SILICON CARBIDE RECTIFIER TO252
DSC08A065D1-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
سرعة：
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
تكنولوجيا：
SiC (Silicon Carbide) Schottky
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى)：
650 V
درجة حرارة التشغيل - الوصلة：
-55°C ~ 175°C
الحزمة / القضية：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Current - Average Rectified (Io)：
8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr：
230 µA @ 650 V
السعة @ Vr، F：
348pF @ 100mV, 1MHz
حزمة جهاز المورد：
TO-252 (Type WX)
