DXTN5820DFDB-7
SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
DXTN5820DFDB-7 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max)：
100nA
نوع الترانزستور：
NPN
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)：
20 V
Frequency - Transition：
80MHz
الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)：
6 A
الحزمة / القضية：
3-UDFN Exposed Pad
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：
275mV @ 300mA, 6A
أقصى القوة：
690 mW
حزمة جهاز المورد：
U-DFN2020-3 (Type B)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：
280 @ 500mA, 2V
