DXTP5860CFDB-7
PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020
DXTP5860CFDB-7 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع الترانزستور：
PNP
Current - Collector Cutoff (Max)：
100nA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)：
60 V
الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)：
4 A
الحزمة / القضية：
3-UDFN Exposed Pad
Frequency - Transition：
130MHz
أقصى القوة：
690 mW
حزمة جهاز المورد：
U-DFN2020-3 (Type B)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：
170 @ 500mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：
450mV @ 250mA, 5A
