FES1GE
DIODE GEN PURP 400V 1A F1A
FES1GE Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
تكنولوجيا：
Standard
سرعة：
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io)：
1A
درجة حرارة التشغيل - الوصلة：
-55°C ~ 150°C
عكس وقت الاسترداد (trr)：
25 ns
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى)：
400 V
Current - Reverse Leakage @ Vr：
5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.25 V @ 1 A
الحزمة / القضية：
DO-219AA
السعة @ Vr، F：
14pF @ 4V, 1MHz
حزمة جهاز المورد：
F1A (DO219AA)
