MURS120
DIODE GEN PURP 200V 1A SMB TR 3K
MURS120 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
تكنولوجيا：
Standard
سرعة：
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io)：
1A
درجة حرارة التشغيل - الوصلة：
-55°C ~ 150°C
عكس وقت الاسترداد (trr)：
25 ns
الحزمة / القضية：
DO-214AA, SMB
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى)：
200 V
حزمة جهاز المورد：
SMB
Current - Reverse Leakage @ Vr：
2 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
875 mV @ 1 A
السعة @ Vr، F：
27pF @ 4V, 1MHz
