S1MSP1N-7
DIODE GP 1KV 1A POWERDI123
S1MSP1N-7 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
تكنولوجيا：
Standard
Current - Average Rectified (Io)：
1A
درجة حرارة التشغيل - الوصلة：
-55°C ~ 150°C
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى)：
1000 V
سرعة：
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr：
10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.1 V @ 1 A
الحزمة / القضية：
POWERDI®123
حزمة جهاز المورد：
PowerDI™ 123
السعة @ Vr، F：
4pF @ 4V, 1MHz
عكس وقت الاسترداد (trr)：
1.2 µs
