US1M
DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
US1M Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
تكنولوجيا：
Standard
سرعة：
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
الحزمة / القضية：
DO-214AC, SMA
Current - Average Rectified (Io)：
1A
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى)：
1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.7 V @ 1 A
عكس وقت الاسترداد (trr)：
75 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr：
5 µA @ 1000 V
حزمة جهاز المورد：
SMA
درجة حرارة التشغيل - الوصلة：
-65°C ~ 150°C
السعة @ Vr، F：
10pF @ 4V, 1MHz
