ZXMN10A08E6QTA
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
ZXMN10A08E6QTA Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
الحزمة / القضية：
SOT-23-6
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
6V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
100 V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
1.1W (Ta)
حزمة جهاز المورد：
SOT-26
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
7.7 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
250mOhm @ 3.2A, 10V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
1.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
405 pF @ 50 V
