ZXMN7A11GQTA
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&
ZXMN7A11GQTA Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
درجة：
Automotive
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
الحزمة / القضية：
TO-261-4, TO-261AA
حزمة جهاز المورد：
SOT-223
Power Dissipation (Max)：
2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
2.7A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
7.4 nC @ 10 V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
70 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
130mOhm @ 4.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
298 pF @ 50 V
