ZXMP6A18KQTC
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R
ZXMP6A18KQTC Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
60 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع فيت：
P-Channel
الحزمة / القضية：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد：
TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
44 nC @ 10 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
6.8A (Ta)
Power Dissipation (Max)：
2.15W (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
55mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1580 pF @ 30 V
