DMN1003UFDE-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
DMN1003UFDE-7 Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
22A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
2.5V, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)：
12 V
Vgs (Max)：
±8V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
800mW (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
45 nC @ 8 V
Package / Case：
6-PowerUDFN
Supplier Device Package：
U-DFN2020-6 (Type E)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
3mOhm @ 15A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2551 pF @ 6 V
