DMN10H170SFGQ-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
DMN10H170SFGQ-13 Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
Grade：
Automotive
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)：
100 V
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case：
8-PowerVDFN
Qualification：
AEC-Q101
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Supplier Device Package：
POWERDI3333-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
14.9 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
940mW (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
122mOhm @ 3.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
870.7 pF @ 25 V
