DMN2014LHAB-13
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
DMN2014LHAB-13 Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
Package / Case：
6-UFDFN Exposed Pad
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
9A (Ta)
Configuration：
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.1V @ 250µA
Power - Max：
800mW (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
16nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1550pF @ 10V
Supplier Device Package：
U-DFN2030-6 (Type B)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
13mOhm @ 4A, 4.5V
