DMN2029UVT-13
MOSFET N-CH 6.8A TSOT26
DMN2029UVT-13 Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
Package / Case：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±10V
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package：
TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
2.5V, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)：
20 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
700mW (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
646 pF @ 10 V
