DMN2710UFBQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
DMN2710UFBQ-7 Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
Grade：
Automotive
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Drain to Source Voltage (Vdss)：
20 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)：
±6V
Package / Case：
3-UFDFN
Supplier Device Package：
X1-DFN1006-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
0.6 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
450mOhm @ 600mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
42 pF @ 16 V
Power Dissipation (Max)：
720mW (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
1.3A (Ta)
