DMP2008USS-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.
DMP2008USS-13 Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
Package / Case：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package：
8-SO
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type：
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)：
20 V
Power Dissipation (Max)：
1.4W (Ta)
Vgs (Max)：
±8V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
1.8V, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
159 nC @ 10 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
13A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
9mOhm @12A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
6820 pF @ 10 V
