DMT10H032LDV-13
MOSFET 2N-CH 100V 18A PWRDI3333
DMT10H032LDV-13 Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Package / Case：
8-PowerVDFN
Configuration：
2 N-Channel (Dual)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
100V
Supplier Device Package：
PowerDI3333-8 (Type UXC)
Power - Max：
1W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
11.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
36mOhm @ 10A, 10V
