DMT10H072LDV-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
DMT10H072LDV-7 Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case：
8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
100V
Configuration：
2 N-Channel
Supplier Device Package：
PowerDI3333-8 (Type UXC)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
4.5nC @ 10V
Power - Max：
1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
66mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
228pF @ 50V
