DMT10H072LFV-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
DMT10H072LFV-13 Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
6V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)：
100 V
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case：
8-PowerVDFN
Power Dissipation (Max)：
2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 250µA
Supplier Device Package：
PowerDI3333-8 (Type UX)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
4.5 nC @ 10 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
4.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
62mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
228 pF @ 50 V
