DMT12H065LFDF-7
MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN
DMT12H065LFDF-7 Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.2V @ 250µA
Vgs (Max)：
±12V
Package / Case：
6-UDFN Exposed Pad
Supplier Device Package：
U-DFN2020-6 (Type F)
Power Dissipation (Max)：
1W (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
4.3A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
5.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)：
115 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
65mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
252 pF @ 50 V
