DMTH10H009LFG-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
DMTH10H009LFG-7 Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)：
100 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Package / Case：
8-PowerVDFN
Operating Temperature：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)：
2.5W (Ta)
Supplier Device Package：
POWERDI3333-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
41 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
8.5mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2361 pF @ 50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
14A (Ta), 55A (Tc)
