DMTH10H009LFGQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
DMTH10H009LFGQ-13 Specifications
Mounting Type：
Surface Mount
Grade：
Automotive
FET Type：
N-Channel
Technology：
MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)：
100 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Package / Case：
8-PowerVDFN
Operating Temperature：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Supplier Device Package：
POWERDI3333-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
41 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)：
2.5W (Ta), 39W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2361 pF @ 50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
12A (Ta), 46A (Tc)
